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迎接高性能与电力密度的挑战,Qspeed推出超高效率整流器-万博游戏官网

本文摘要:高性能、低功耗密度、高性能、低成本往往是对立的参数,但今天的电力工程师面临着这些挑战。在过去10年里,电力密度拒绝以每年15%至17%的速度迅速增加,电源的能源效率超过20%,稳定性指标MTBF的数字减少,每瓦平均价格在过去5年里上升了25%。如何应对这种挑战?业界领先的Silicon 2供应商Qspeed最近销售了一系列600VH系列适配器,以更好地解决客户的问题。

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高性能、低功耗密度、高性能、低成本往往是对立的参数,但今天的电力工程师面临着这些挑战。在过去10年里,电力密度拒绝以每年15%至17%的速度迅速增加,电源的能源效率超过20%,稳定性指标MTBF的数字减少,每瓦平均价格在过去5年里上升了25%。如何应对这种挑战?业界领先的Silicon 2供应商Qspeed最近销售了一系列600VH系列适配器,以更好地解决客户的问题。

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(威廉莎士比亚,Northern Exposure(美国电视),成功)一般来说,提高电力效率不会导致成本大幅增加,例如使用碳化硅的产品。Qspeed半导体总裁MikeHeitzman认为,通过提高功率频率来提高功率密度,不会带来非常大的EMI,效率会大幅提高。他接着分析说,一些企业为了节约成本,使用低成本标准化部件,不仅不会导致性能下降,而且不会减少额外的系统成本。

另外,为了提高可靠性,一些供应商提高了电路的工作温度。这可以减少成本和基板面积。那么Qspeed最近的600VH系列如何符合综合性能拒绝呢?减少反向恢复电荷(QRR),使用硬整体恢复减少EMI,同时获得硅二极管的最低转换效率。

减少反向恢复电荷可以增加二极管电源损耗,减少MOSFET的开关损耗,减少FET/二极管和周围工作温度,从而大大提高效率。Heitzman解释说,通过使用硬整体恢复构建谐波,可以增加电磁辐射和EMI。

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最后,Qspeed经过大量销售证明的成熟期硅二极管生产工艺,确保了产品的良品率,降低了成本。他回答说。


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